在開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件，需要進行器件級的靜態(tài)參數(shù)測量，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量，并不斷優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。就要使用到IV參數(shù)曲線測試儀2600-PCT-2B，

IV參數(shù)曲線測試儀2600-PCT-2B優(yōu)勢：

完整的解決方案，

? 可現(xiàn)場升級和重新配置，將PCT轉(zhuǎn)換成可靠性或晶片分類測試儀

? 可配置功率電平：200V至3kV、1A至100A

? 寬動態(tài)范圍：µV至3kV、fA至100A

? 全量程容-電壓 (C-V) 能力：fF至µF

? 支持 2、3和4端器件、高達3kV DC偏移

? 高性能測試夾具支持一系列軟件包類型

? 探頭測試臺接口支持多種常見的探頭類型

特點：

• 完善的解決方案，價格實惠且性能優(yōu)異

• 可現(xiàn)場升級和重新配置，將 PCT 轉(zhuǎn)換成可靠性或晶片分類測試儀

• 可配置功率電平：

• 200V 至 3kV

• 1A 至 100A

• 寬動態(tài)范圍：

• µV 至 3kV

• fA 至 100A

• 全量程容-電壓 (C-V) 能力：

• fF 至 µF

• 支持 2、3 和 4 端器件

• 高達 3kV DC 偏移

• 高性能測試夾具支持一系列軟件包類型

• 探頭測試臺接口支持最常見的探頭類型，包括 HV 同軸三線電纜、SHV 同軸電纜、標準同軸三線電纜等